30nm低电压！三星DDR3原厂内存条评测
1/8
作为全球存储半导体的第一名，自9月10日，三星30nm内存条新品已正式摆上货架，此次三星30nm产品的问世不仅成为业界树立了全新的技术标杆，也将使三星原厂内存条在中国市场的产品线更为完善。
2/8
三星这次推出的30nm技术的DDR3原厂内存条额定工作电压1.35V，运行频率也大幅度提升至1600Mbps，性能比40nm制程的DDR3原厂内存条1333Mbps（工作电压1.5V）提升了20%%。
3/8
30nm新品除了在技术上全面升级外，依旧保留了三星原厂内存条在环保、节能、原厂颗粒和封装等方面的传统优势。
4/8
三星原厂内存条为塑封包装，可以直观地看到产品全貌，更为环保的包装，体现了产品的“绿色”属性。在选材上，三星内存条也更加环保，保证不含铅和卤素，符合欧洲能源之星标准；在制作工艺上，三星原厂内存条采用的窄版设计，其中VLP UDIMM芯片能够节省38%%的材料，VLP SODIMM芯片能够节省15%%的材料。技术方面，三星原厂内存条采用了电压更低、能耗更小的30nm新工艺，堪称“节能先锋”。
5/8
测试平台配置
6/8
AIDA64测试如下，写入15710MB/s，读取16180MB/s，延迟56.3ns。
7/8
稳定性测试也没有问题。
8/8
PCMARK测试成绩如上，总成绩3333分。